BSP135H6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP135H6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP135H6327XTSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSP135H6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP135H6327XTSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSP135H6327XTSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSP135H6327XTSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSP135H6327XTSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	120mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	0V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 94µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	4.9 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	146 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	Depletion Mode
tehohäviö (max):	1.8W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-223-4
paketti/laukku:	TO-261-4, TO-261AA