SIHB33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix SIHB33N60E-GE3 | SIHB33N60E-GE3 Inventory, Best Pricing

SIHB33N60E-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SIHB33N60E-GE3
LIXINC Part #	SIHB33N60E-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SIHB33N60E-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SIHB33N60E-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SIHB33N60E-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	33A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3508 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	278W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D2PAK
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFR010TRPBF	MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK	947 Lisää tilauksesta
CSD25213W10	MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA	18597 Lisää tilauksesta
BUK9M9R5-40HX	MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33	2253 Lisää tilauksesta
R6004KNX	MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM	1196 Lisää tilauksesta
IPD65R660CFD	IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO	1812 Lisää tilauksesta
RCJ081N20TL	MOSFET N-CH 200V 8A LPTS	1889 Lisää tilauksesta
PSMN1R5-30YLC,115	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56	1307 Lisää tilauksesta
RSD100N10TL	MOSFET N-CH 100V 10A CPT3	988 Lisää tilauksesta
NVMFS5826NLT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	4699 Lisää tilauksesta
NVMFS4C03NWFT3G	MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN	818 Lisää tilauksesta
NVD14N03RT4G	N-CHANNEL POWER MOSFET	35201 Lisää tilauksesta
NTMS7N03R2G	MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC	2875 Lisää tilauksesta
PMZB290UNE2YL	MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3	909 Lisää tilauksesta