IPP47N10SL26AKSA1 | Rochester Electronics IPP47N10SL26AKSA1 | IPP47N10SL26AKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP47N10SL26AKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPP47N10SL26AKSA1
LIXINC Part #	IPP47N10SL26AKSA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPP47N10SL26AKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPP47N10SL26AKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPP47N10SL26AKSA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	47A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 2mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	135 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2.5 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	175W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3-1
paketti/laukku:	TO-220-3