SSM3J15FV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J15FV,L3F

SSM3J15FV,L3F

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SSM3J15FV,L3F
LIXINC Part #	SSM3J15FV,L3F
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SSM3J15FV,L3F PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SSM3J15FV,L3F Tekniset tiedot

Osa numero:	SSM3J15FV,L3F
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	π-MOSVI
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4V
rds päällä (max) @ id, vgs:	12Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1.7V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	9.1 pF @ 3 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	150mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	VESM
paketti/laukku:	SOT-723