APT31M100B2 | Roving Networks / Microchip Technology APT31M100B2

APT31M100B2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	APT31M100B2
LIXINC Part #	APT31M100B2
Valmistaja	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	APT31M100B2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

APT31M100B2 Tekniset tiedot

Osa numero:	APT31M100B2
Brändi:	Roving Networks / Microchip Technology
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Roving Networks / Microchip Technology
sarja:	POWER MOS 8™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1000 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	32A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	380mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	260 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	8500 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1040W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	T-MAX™ [B2]
paketti/laukku:	TO-247-3 Variant