SI4776DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4776DY-T1-GE3 | SI4776DY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4776DY-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI4776DY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4776DY-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI4776DY-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI4776DY-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI4776DY-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	SkyFET®, TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.9A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	17.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	521 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	4.1W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SO
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

AOSS32136C	MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3	15315 Lisää tilauksesta
3LN01S-K-TL-E	MOSFET N-CH 30V 0.15A SMCP	126945 Lisää tilauksesta
ZXM61N02FTC	MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3	10810 Lisää tilauksesta
FQI27N25TU	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	23823 Lisää tilauksesta
NVTFS5C466NLTAG	MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN	922 Lisää tilauksesta
STP8N80K5	MOSFET N CH 800V 6A TO220	1942 Lisää tilauksesta
FQP9N08	MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3	4042 Lisää tilauksesta
FDMC610P	MOSFET P-CH 12V 80A POWER33	8091 Lisää tilauksesta
SN7002WH6433	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	10936 Lisää tilauksesta
IPB60R250CPATMA1	MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3	62850 Lisää tilauksesta
TK11A55D(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS	951 Lisää tilauksesta
CSD18542KTT	MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK	9919 Lisää tilauksesta
2SK1629-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	1099 Lisää tilauksesta