BSC070N10NS3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC070N10NS3GATMA1 | BSC070N10NS3GATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC070N10NS3GATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSC070N10NS3GATMA1
LIXINC Part #	BSC070N10NS3GATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSC070N10NS3GATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSC070N10NS3GATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSC070N10NS3GATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	90A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 75µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4000 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	114W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TDSON-8-1
paketti/laukku:	8-PowerTDFN

PSMN2R2-25YLC,115	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56	3291 Lisää tilauksesta
IRL7833STRLPBF	MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK	1607 Lisää tilauksesta
IPP60R080P7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3	912 Lisää tilauksesta
PMPB50ENEX	MOSFET DFN2020MD-6	3904 Lisää tilauksesta
PMPB100ENEA115	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	30881 Lisää tilauksesta
SI7434ADP-T1-RE3	MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK	3699 Lisää tilauksesta
IRF9520STRRPBF	MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK	907 Lisää tilauksesta
PSMN057-200B,118	MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK	4267 Lisää tilauksesta
DMN3016LFDE-7	MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN	3784 Lisää tilauksesta
IPP80N04S304AKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	27931 Lisää tilauksesta
C3M0280090J	SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7	864 Lisää tilauksesta
IRF7450PBF	SMPS HEXFET POWER MOSFET	905 Lisää tilauksesta
BSZ22DN20NS3G	BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P	1970 Lisää tilauksesta