FDFS6N303 | Rochester Electronics FDFS6N303 | FDFS6N303 Inventory, Best Pricing

FDFS6N303

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDFS6N303
LIXINC Part #	FDFS6N303
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDFS6N303 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDFS6N303 Tekniset tiedot

Osa numero:	FDFS6N303
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Isolated)
tehohäviö (max):	900mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SOIC
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)