STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP | STQ1NK60ZR-AP Inventory, Best Pricing

STQ1NK60ZR-AP

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STQ1NK60ZR-AP
LIXINC Part #	STQ1NK60ZR-AP
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STQ1NK60ZR-AP PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STQ1NK60ZR-AP Tekniset tiedot

Osa numero:	STQ1NK60ZR-AP
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	SuperMESH™
paketti:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	300mA (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	15Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	6.9 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	94 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-92-3
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)