BSZ086P03NS3EGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ086P03NS3EGATMA1 | BSZ086P03NS3EGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ086P03NS3EGATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSZ086P03NS3EGATMA1
LIXINC Part #	BSZ086P03NS3EGATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSZ086P03NS3EGATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSZ086P03NS3EGATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSZ086P03NS3EGATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	13.5A (Ta), 40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.1V @ 105µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	57.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4785 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TSDSON-8
paketti/laukku:	8-PowerTDFN