TPN4R303NL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TPN4R303NL,L1Q
LIXINC Part #	TPN4R303NL,L1Q
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TPN4R303NL,L1Q PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TPN4R303NL,L1Q Tekniset tiedot

Osa numero:	TPN4R303NL,L1Q
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSVIII-H
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 200µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	14.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	700mW (Ta), 34W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
paketti/laukku:	8-PowerVDFN