IPD65R380E6ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD65R380E6ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD65R380E6ATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPD65R380E6ATMA1
LIXINC Part #	IPD65R380E6ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPD65R380E6ATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPD65R380E6ATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPD65R380E6ATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™ E6
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10.6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	380mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 320µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	39 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	710 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	83W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO252-3
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63