NTLJF4156NT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTLJF4156NT1G
LIXINC Part #	NTLJF4156NT1G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTLJF4156NT1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 12 - Sep 16 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTLJF4156NT1G Tekniset tiedot

Osa numero:	NTLJF4156NT1G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.5A (Tj)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	6.5 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	427 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Isolated)
tehohäviö (max):	710mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-WDFN (2x2)
paketti/laukku:	6-WDFN Exposed Pad