IXFN64N50P | Wickmann / Littelfuse IXFN64N50P | IXFN64N50P Inventory, Best Pricing

IXFN64N50P

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IXFN64N50P
LIXINC Part #	IXFN64N50P
Valmistaja	Wickmann / Littelfuse
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IXFN64N50P PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IXFN64N50P Tekniset tiedot

Osa numero:	IXFN64N50P
Brändi:	Wickmann / Littelfuse
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Wickmann / Littelfuse
sarja:	PolarHV™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	500 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	61A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 8mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	8700 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	700W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-227B
paketti/laukku:	SOT-227-4, miniBLOC

VP2450N8-G	MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA	970 Lisää tilauksesta
TSM80N950CH C5G	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251	4101 Lisää tilauksesta
RAL025P01TCR	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6	1285 Lisää tilauksesta
C3M0016120D	SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3	810 Lisää tilauksesta
ECH8305-TL-E	MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH	72902 Lisää tilauksesta
FDBL86363-F085	MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF	28803 Lisää tilauksesta
ZXMN6A25GTA	MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223	13498 Lisää tilauksesta
FCP650N80Z	MOSFET N-CH 800V 10A TO220	6573226 Lisää tilauksesta
CSD17575Q3T	MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON	5060 Lisää tilauksesta
FDD8874	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3	32224 Lisää tilauksesta
IPB024N08N5ATMA1	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK	1426 Lisää tilauksesta
SIS862ADN-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK	2244 Lisää tilauksesta
SIR416DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8	2622 Lisää tilauksesta