FQNL2N50BTA | Rochester Electronics FQNL2N50BTA | FQNL2N50BTA Inventory, Best Pricing

FQNL2N50BTA

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FQNL2N50BTA
LIXINC Part #	FQNL2N50BTA
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FQNL2N50BTA PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 19 - Sep 23 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FQNL2N50BTA Tekniset tiedot

Osa numero:	FQNL2N50BTA
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	QFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	500 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	350mA (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 175mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	230 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.5W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-92-3
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)