IPB70N10S312ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB70N10S312ATMA1 | IPB70N10S312ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB70N10S312ATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPB70N10S312ATMA1
LIXINC Part #	IPB70N10S312ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPB70N10S312ATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPB70N10S312ATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPB70N10S312ATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	70A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	11.3mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 83µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	66 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4355 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO263-3-2
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB