STL9N60M2 | STMicroelectronics STL9N60M2 | STL9N60M2 Inventory, Best Pricing

STL9N60M2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STL9N60M2
LIXINC Part #	STL9N60M2
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STL9N60M2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STL9N60M2 Tekniset tiedot

Osa numero:	STL9N60M2
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	MDmesh™ II Plus
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	860mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	320 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	48W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerFlat™ (5x6) HV
paketti/laukku:	8-PowerVDFN