DMN2300UFB4-7B | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMN2300UFB4-7B
LIXINC Part #	DMN2300UFB4-7B
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMN2300UFB4-7B PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMN2300UFB4-7B Tekniset tiedot

Osa numero:	DMN2300UFB4-7B
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	950mV @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	1.6 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	64.3 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	500mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	X2-DFN1006-3
paketti/laukku:	3-XFDFN