DMN26D0UFB4-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMN26D0UFB4-7
LIXINC Part #	DMN26D0UFB4-7
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMN26D0UFB4-7 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMN26D0UFB4-7 Tekniset tiedot

Osa numero:	DMN26D0UFB4-7
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	230mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	14.1 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	350mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	X2-DFN1006-3
paketti/laukku:	3-XFDFN