FDD10N20LZTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD10N20LZTM

FDD10N20LZTM

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDD10N20LZTM
LIXINC Part #	FDD10N20LZTM
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDD10N20LZTM PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDD10N20LZTM Tekniset tiedot

Osa numero:	FDD10N20LZTM
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	UniFET™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	7.6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	585 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	83W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DPAK
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63