STLD200N4F6AG | STMicroelectronics STLD200N4F6AG | STLD200N4F6AG Inventory, Best Pricing

STLD200N4F6AG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STLD200N4F6AG
LIXINC Part #	STLD200N4F6AG
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STLD200N4F6AG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STLD200N4F6AG Tekniset tiedot

Osa numero:	STLD200N4F6AG
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	120A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	172 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	10700 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	158W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
paketti/laukku:	8-PowerWDFN