BUK754R0-55B,127 | Rochester Electronics BUK754R0-55B,127 | BUK754R0-55B,127 Inventory, Best Pricing

BUK754R0-55B,127

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BUK754R0-55B,127
LIXINC Part #	BUK754R0-55B,127
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	PFET, 75A I(D), 55V, 0.004OHM, 1
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BUK754R0-55B,127 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 24 - Sep 28 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BUK754R0-55B,127 Tekniset tiedot

Osa numero:	BUK754R0-55B,127
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	55 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	75A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	86 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6.776 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	300W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB
paketti/laukku:	TO-220-3