IPSA70R1K4P7SAKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPSA70R1K4P7SAKMA1 | IPSA70R1K4P7SAKMA1 Inventory, Best Pricing

IPSA70R1K4P7SAKMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPSA70R1K4P7SAKMA1
LIXINC Part #	IPSA70R1K4P7SAKMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPSA70R1K4P7SAKMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPSA70R1K4P7SAKMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPSA70R1K4P7SAKMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™ P7
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	700 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 40µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	4.7 nC @ 400 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	158 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	22.7W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO251-3
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA