TSM220NB06LCR RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM220NB06LCR RLG | TSM220NB06LCR RLG Inventory, Best Pricing

TSM220NB06LCR RLG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TSM220NB06LCR RLG
LIXINC Part #	TSM220NB06LCR RLG
Valmistaja	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TSM220NB06LCR RLG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TSM220NB06LCR RLG Tekniset tiedot

Osa numero:	TSM220NB06LCR RLG
Brändi:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	TSC (Taiwan Semiconductor)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	8A (Ta), 35A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	22mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1314 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.1W (Ta), 68W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-PDFN (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN