NVMFS5C612NLAFT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS5C612NLAFT3G | NVMFS5C612NLAFT3G Inventory, Best Pricing

NVMFS5C612NLAFT3G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVMFS5C612NLAFT3G
LIXINC Part #	NVMFS5C612NLAFT3G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVMFS5C612NLAFT3G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVMFS5C612NLAFT3G Tekniset tiedot

Osa numero:	NVMFS5C612NLAFT3G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	38A (Ta), 250A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.36mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	91 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6660 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN, 5 Leads