TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TK39J60W5,S1VQ
LIXINC Part #	TK39J60W5,S1VQ
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TK39J60W5,S1VQ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TK39J60W5,S1VQ Tekniset tiedot

Osa numero:	TK39J60W5,S1VQ
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	DTMOSIV
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	38.8A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 1.9mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	135 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
fet-ominaisuus:	Super Junction
tehohäviö (max):	270W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-3P(N)
paketti/laukku:	TO-3P-3, SC-65-3