TSM650P02CX RFG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM650P02CX RFG | TSM650P02CX RFG Inventory, Best Pricing

TSM650P02CX RFG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TSM650P02CX RFG
LIXINC Part #	TSM650P02CX RFG
Valmistaja	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TSM650P02CX RFG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TSM650P02CX RFG Tekniset tiedot

Osa numero:	TSM650P02CX RFG
Brändi:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	TSC (Taiwan Semiconductor)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.1A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.8V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	800mV @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	5.1 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	515 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.56W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-23
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3