N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America N0602N-S19-AY | N0602N-S19-AY Inventory, Best Pricing

N0602N-S19-AY

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	N0602N-S19-AY
LIXINC Part #	N0602N-S19-AY
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	N0602N-S19-AY PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

N0602N-S19-AY Tekniset tiedot

Osa numero:	N0602N-S19-AY
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	133 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	7730 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.5W (Ta), 156W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3
paketti/laukku:	TO-220-3 Isolated Tab