IPA80R1K4P7XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPA80R1K4P7XKSA1 | IPA80R1K4P7XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA80R1K4P7XKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPA80R1K4P7XKSA1
LIXINC Part #	IPA80R1K4P7XKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPA80R1K4P7XKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 11 - Oct 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPA80R1K4P7XKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPA80R1K4P7XKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	800 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 700µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	250 pF @ 500 V
fet-ominaisuus:	Super Junction
tehohäviö (max):	24W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3F
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack