IPB80P03P4L07ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB80P03P4L07ATMA1 | IPB80P03P4L07ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB80P03P4L07ATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPB80P03P4L07ATMA1
LIXINC Part #	IPB80P03P4L07ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPB80P03P4L07ATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPB80P03P4L07ATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPB80P03P4L07ATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	6.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 130µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (max):	+5V, -16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5700 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	88W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO263-3-2
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB