AUIRLL2705TR | IR (Infineon Technologies) AUIRLL2705TR | AUIRLL2705TR Inventory, Best Pricing

AUIRLL2705TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AUIRLL2705TR
LIXINC Part #	AUIRLL2705TR
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AUIRLL2705TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AUIRLL2705TR Tekniset tiedot

Osa numero:	AUIRLL2705TR
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	55 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5.2A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	870 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-SOT223
paketti/laukku:	TO-261-4, TO-261AA