CSD16570Q5BT | Texas Instruments CSD16570Q5BT | CSD16570Q5BT Inventory, Best Pricing

CSD16570Q5BT

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CSD16570Q5BT
LIXINC Part #	CSD16570Q5BT
Valmistaja	Texas Instruments
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CSD16570Q5BT PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CSD16570Q5BT Tekniset tiedot

Osa numero:	CSD16570Q5BT
Brändi:	Texas Instruments
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Texas Instruments
sarja:	NexFET™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	0.59mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.9V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	250 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	14000 pF @ 12 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.2W (Ta), 195W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-VSONP (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN