UPA2820T1S-E2-AT | Renesas Electronics America UPA2820T1S-E2-AT | UPA2820T1S-E2-AT Inventory, Best Pricing

UPA2820T1S-E2-AT

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	UPA2820T1S-E2-AT
LIXINC Part #	UPA2820T1S-E2-AT
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	UPA2820T1S-E2-AT PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

UPA2820T1S-E2-AT Tekniset tiedot

Osa numero:	UPA2820T1S-E2-AT
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Last Time Buy
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	22A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	5.3mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2330 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.5W (Ta), 16W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	-
paketti/laukku:	8-PowerWDFN