STD8N60DM2 | STMicroelectronics STD8N60DM2 | STD8N60DM2 Inventory, Best Pricing

STD8N60DM2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STD8N60DM2
LIXINC Part #	STD8N60DM2
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STD8N60DM2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STD8N60DM2 Tekniset tiedot

Osa numero:	STD8N60DM2
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	MDmesh™ DM2
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	13.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	375 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	85W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DPAK
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63