TK8R2A06PL,S4X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK8R2A06PL,S4X

TK8R2A06PL,S4X

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TK8R2A06PL,S4X
LIXINC Part #	TK8R2A06PL,S4X
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TK8R2A06PL,S4X PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TK8R2A06PL,S4X Tekniset tiedot

Osa numero:	TK8R2A06PL,S4X
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSIX-H
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	50A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	11.4mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 300µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	28.4 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1990 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	36W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220SIS
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack