2SB1123T-TD-E | Rochester Electronics 2SB1123T-TD-E | 2SB1123T-TD-E Inventory, Best Pricing

2SB1123T-TD-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SB1123T-TD-E
LIXINC Part #	2SB1123T-TD-E
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Kuvaus	PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SB1123T-TD-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SB1123T-TD-E Tekniset tiedot

Osa numero:	2SB1123T-TD-E
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	*
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	-
virta - kollektori (ic) (max):	-
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	-
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	-
virta - kollektorin katkaisu (max):	-
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	-
teho - max:	-
taajuus - siirtymä:	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	-
paketti/laukku:	-
toimittajan laitepaketti:	-