NJVMJD117T4G | Rochester Electronics NJVMJD117T4G | NJVMJD117T4G Inventory, Best Pricing

NJVMJD117T4G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NJVMJD117T4G
LIXINC Part #	NJVMJD117T4G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Kuvaus	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, PN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NJVMJD117T4G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NJVMJD117T4G Tekniset tiedot

Osa numero:	NJVMJD117T4G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksittäinen
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	PNP - Darlington
virta - kollektori (ic) (max):	2 A
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	100 V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	3V @ 40mA, 4A
virta - kollektorin katkaisu (max):	20µA
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 2A, 3V
teho - max:	1.75 W
taajuus - siirtymä:	25MHz
Käyttölämpötila:	-65°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
toimittajan laitepaketti:	DPAK