TH58BVG2S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BVG2S3HBAI6

TH58BVG2S3HBAI6

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TH58BVG2S3HBAI6
LIXINC Part #	TH58BVG2S3HBAI6
Valmistaja	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC FLASH 4G 67VFBGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TH58BVG2S3HBAI6 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 07 - Jul 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TH58BVG2S3HBAI6 Tekniset tiedot

Osa numero:	TH58BVG2S3HBAI6
Brändi:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
sarja:	Benand™
paketti:	Tray
osan tila:	Active
muistin tyyppi:	Non-Volatile
muistimuoto:	FLASH
teknologiaa:	FLASH - NAND (SLC)
muistin koko:	4G (512M x 8)
muistin käyttöliittymä:	-
kellotaajuus:	-
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	-
kirjautumisaika:	-
jännite - syöttö:	2.7V ~ 3.6V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 85°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	67-VFBGA
toimittajan laitepaketti:	67-VFBGA (6.5x8)

Lämpimiä vinkkejä: Täytä alla oleva lomake. Otamme sinuun yhteyttä mahdollisimman pian.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$5.31000	$5.31

Lixinc tarjoaa sinulle kilpailukykyiset hinnat, katso tarjoukset.

[email protected]

LIXINC

Lähetä viesti

Ota rohkeasti yhteyttä saadaksesi lisätietoja.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015