MB85R4M2TFN-G-ASE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R4M2TFN-G-ASE1 | MB85R4M2TFN-G-ASE1 Inventory, Best Pricing

MB85R4M2TFN-G-ASE1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MB85R4M2TFN-G-ASE1
LIXINC Part #	MB85R4M2TFN-G-ASE1
Valmistaja	Fujitsu Electronics America, Inc.
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MB85R4M2TFN-G-ASE1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 20 - Oct 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MB85R4M2TFN-G-ASE1 Tekniset tiedot

Osa numero:	MB85R4M2TFN-G-ASE1
Brändi:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	Fujitsu Electronics America, Inc.
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Obsolete
muistin tyyppi:	Non-Volatile
muistimuoto:	FRAM
teknologiaa:	FRAM (Ferroelectric RAM)
muistin koko:	4Mb (256K x 16)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	-
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	150ns
kirjautumisaika:	150 ns
jännite - syöttö:	1.8V ~ 3.6V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 85°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
toimittajan laitepaketti:	44-TSOP