MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | Micron Technology MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part #	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Valmistaja	Micron Technology
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 28 - Nov 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Tekniset tiedot

Osa numero:	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Brändi:	Micron Technology
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	Micron Technology
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
muistin tyyppi:	Non-Volatile
muistimuoto:	FLASH
teknologiaa:	FLASH - NAND
muistin koko:	512Gb (64G x 8)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	333 MHz
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	-
kirjautumisaika:	-
jännite - syöttö:	2.5V ~ 3.6V
Käyttölämpötila:	0°C ~ 70°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	132-VBGA
toimittajan laitepaketti:	132-VBGA (12x18)