IS61NVF51236-7.5B3I-TR | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61NVF51236-7.5B3I-TR | IS61NVF51236-7.5B3I-TR Inventory, Best Pricing

IS61NVF51236-7.5B3I-TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IS61NVF51236-7.5B3I-TR
LIXINC Part #	IS61NVF51236-7.5B3I-TR
Valmistaja	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IS61NVF51236-7.5B3I-TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 08 - Jul 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IS61NVF51236-7.5B3I-TR Tekniset tiedot

Osa numero:	IS61NVF51236-7.5B3I-TR
Brändi:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
muistin tyyppi:	Volatile
muistimuoto:	SRAM
teknologiaa:	SRAM - Synchronous, SDR
muistin koko:	18Mb (512K x 36)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	117 MHz
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	-
kirjautumisaika:	7.5 ns
jännite - syöttö:	2.375V ~ 2.625V
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 85°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	165-TBGA
toimittajan laitepaketti:	165-TFBGA (13x15)