MT54V512H18EF-10 | Rochester Electronics MT54V512H18EF-10 | MT54V512H18EF-10 Inventory, Best Pricing

MT54V512H18EF-10

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MT54V512H18EF-10
LIXINC Part #	MT54V512H18EF-10
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	integroidut piirit › muisti
Kuvaus	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MT54V512H18EF-10 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 28 - Nov 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MT54V512H18EF-10 Tekniset tiedot

Osa numero:	MT54V512H18EF-10
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	integroidut piirit
Alaluokka:	muisti
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	QDR™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
muistin tyyppi:	Volatile
muistimuoto:	SRAM
teknologiaa:	SRAM - Quad Port, Synchronous
muistin koko:	9Mb (512K x 18)
muistin käyttöliittymä:	Parallel
kellotaajuus:	100 MHz
kirjoitusjakson aika - sana, sivu:	-
kirjautumisaika:	-
jännite - syöttö:	2.4V ~ 2.6V
Käyttölämpötila:	0°C ~ 70°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	165-TBGA
toimittajan laitepaketti:	165-FBGA (13x15)