NGTB50N65FL2WG | Rochester Electronics NGTB50N65FL2WG | NGTB50N65FL2WG Inventory, Best Pricing

NGTB50N65FL2WG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NGTB50N65FL2WG
LIXINC Part #	NGTB50N65FL2WG
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NGTB50N65FL2WG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NGTB50N65FL2WG Tekniset tiedot

Osa numero:	NGTB50N65FL2WG
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	100 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 50A
teho - max:	417 W
vaihtoenergiaa:	1.5mJ (on), 460µJ (off)
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	220 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	100ns/237ns
testi kunto:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	94 ns
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-247-3
toimittajan laitepaketti:	TO-247-3