STGD4M65DF2 | STMicroelectronics STGD4M65DF2 | STGD4M65DF2 Inventory, Best Pricing

STGD4M65DF2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STGD4M65DF2
LIXINC Part #	STGD4M65DF2
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STGD4M65DF2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STGD4M65DF2 Tekniset tiedot

Osa numero:	STGD4M65DF2
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	M
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	8 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	16 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
teho - max:	68 W
vaihtoenergiaa:	40µJ (on), 136µJ (off)
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	15.2 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	12ns/86ns
testi kunto:	400V, 4A, 47Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	133 ns
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
toimittajan laitepaketti:	DPAK