IKW50N65EH5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKW50N65EH5XKSA1 | IKW50N65EH5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKW50N65EH5XKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IKW50N65EH5XKSA1
LIXINC Part #	IKW50N65EH5XKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IKW50N65EH5XKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IKW50N65EH5XKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IKW50N65EH5XKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	TrenchStop™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	80 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
teho - max:	275 W
vaihtoenergiaa:	1.5mJ (on), 500µJ (off)
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	120 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	25ns/172ns
testi kunto:	400V, 50A, 12Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	81 ns
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-247-3
toimittajan laitepaketti:	PG-TO247-3