FGD3N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FGD3N60UNDF
LIXINC Part #	FGD3N60UNDF
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	IGBT 600V 6A 60W DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FGD3N60UNDF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 11 - Sep 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FGD3N60UNDF Tekniset tiedot

Osa numero:	FGD3N60UNDF
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	NPT
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	600 V
virta - kollektori (ic) (max):	6 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	9 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 3A
teho - max:	60 W
vaihtoenergiaa:	52µJ (on), 30µJ (off)
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	1.6 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	5.5ns/22ns
testi kunto:	400V, 3A, 10Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	21 ns
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
toimittajan laitepaketti:	TO-252, (D-Pak)