STG3P2M10N60B | STMicroelectronics STG3P2M10N60B | STG3P2M10N60B Inventory, Best Pricing

STG3P2M10N60B

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STG3P2M10N60B
LIXINC Part #	STG3P2M10N60B
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STG3P2M10N60B PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Aug 14 - Aug 18 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STG3P2M10N60B Tekniset tiedot

Osa numero:	STG3P2M10N60B
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	SEMITOP®
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	Three Phase Inverter
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	600 V
virta - kollektori (ic) (max):	19 A
teho - max:	56 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 7A
virta - kollektorin katkaisu (max):	10 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	0.72 nF @ 25 V
syöttö:	Single Phase Bridge Rectifier
ntc termistori:	No
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	SEMITOP®2
toimittajan laitepaketti:	SEMITOP®2