FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 | IR (Infineon Technologies) FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 | FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 Inventory, Best Pricing

FZ800R33KF2CB3S2NDSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FZ800R33KF2CB3S2NDSA1
LIXINC Part #	FZ800R33KF2CB3S2NDSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MODULE 3300V 1A 9600W
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Aug 14 - Aug 18 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	FZ800R33KF2CB3S2NDSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Last Time Buy
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	Half Bridge
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	3300 V
virta - kollektori (ic) (max):	1 A
teho - max:	9600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	4.25V @ 15V, 800A
virta - kollektorin katkaisu (max):	5 mA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	100 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	No
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 125°C
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	-