DF150R12W1H3FB11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) DF150R12W1H3FB11BOMA1 | DF150R12W1H3FB11BOMA1 Inventory, Best Pricing

DF150R12W1H3FB11BOMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DF150R12W1H3FB11BOMA1
LIXINC Part #	DF150R12W1H3FB11BOMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MODULE LOW POWER EASY
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DF150R12W1H3FB11BOMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DF150R12W1H3FB11BOMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	DF150R12W1H3FB11BOMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	-
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	-
virta - kollektori (ic) (max):	-
teho - max:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
virta - kollektorin katkaisu (max):	-
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	-
syöttö:	-
ntc termistori:	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	-
paketti/laukku:	-
toimittajan laitepaketti:	-