A1P50S65M2-F | STMicroelectronics A1P50S65M2-F | A1P50S65M2-F Inventory, Best Pricing

A1P50S65M2-F

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	A1P50S65M2-F
LIXINC Part #	A1P50S65M2-F
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	A1P50S65M2-F PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

A1P50S65M2-F Tekniset tiedot

Osa numero:	A1P50S65M2-F
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
kokoonpano:	Three Phase Inverter
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	50 A
teho - max:	208 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
virta - kollektorin katkaisu (max):	100 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	4.15 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	ACEPACK™ 1